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Bocina potenciada ROMMS y similares sin audio

Este amplificador es genérico con numero de PCB P115P-1AMP-DXX, ya que se incorpora en varias marcas de equipos chinos.

EL equipo incorpora un amplificador de potencia clase “D” armado con circuitos integrados y salida de potencia con un par de MOSFET tipo IXTP56N15T, es posible trazar la señal de audio hasta las compuertas de los MOSFETs, claro con cierta distorsión, pues ya es señal cuadrada PWM, la ruta es la siguiente:

Rooms Sección del amplificador

Usando la sección del reproductor USB.

De CN1 → C1 → R2 → U1 LM318 pin 2 → Salida pin 6 → R6 (1K) → R7 (10K) → Base Q1 → Col-Q1 → R9 (10K) U2 74HC02D 2 y 3 (OP 1A y 1B) → pin 6 (2B) → pin 4 → Salida pines 11 y 13 → U4 IR2011S pin 4 y 5 (4.5Vpp PWM) → Salida pines 3 y 8 (unos 30Vpp o mas) → a GATE de MOSFET Q2 y Q3 a través de (R19 y D3) y (R18 y D2).

Q2 lado alto Drain 45Vcc.

Como dato extra el C.I.IR2011S entrega en promedio 30Vpp por sus terminales 3 y 8, pero si los transistores MOSFET Q2 y Q3 no están montados, El IR2011S no entregara la señal de 30Vpp, en pocas palabras no dará salida y solo tendrá los 4.5Vpp de su entrada.

La oscilación de diente de sierra se inserta en el C.I.U1 LM338, al C.I.U2 ya llega en señal cuadrada

La falla común de este equipo es el daño de la bobina del crossover (graves), MOSFETs y el IR2011.

Otro dato extra es la mala calidad de los transistores IXTP56N15T los cuales si funcionan pero el disipador de calor alcanza los 80° cuando su temperatura de funcionamiento es en promedio de 35° a unos 45° a volumen alto y por tiempo prolongado.

Te dejo las imágenes de los transistores en los cuales puedes ver, lado izquierdo, el original que tiene en el centro un numero 7 (circulo verde), y a la derecha el remarcado, el cual difiere incluso en la forma de su difusor de calor

Otro punto importante es la capacidad interna del componente.

Capacidad del original, Source (punta negra) a Drain (punta roja) 1.3nF y de Source a Gate (roja) 2.7nF.

Capacidad del remarcado, Source (punta negra) a Drain (punta roja) 2.4nF y de Source a Gate (roja) 8nF.

La diferencia de la capacidad de Source a Gate es remarcada y probablemente la causa del excesivo calentamiento, un factor importante de estos MOSFETs es el bajo RDS (ON) de .036Ώ, el remarcado probablemente sea del orden de los ohmios y de ahí también el excesivo calentamiento.

Mosfet original      Mosfet pirata o remarcado

Espero estos datos te sean de utilidad.

31/08/16.